【外围投注】GF放弃7nm及后续制程研发:尖端工艺太烧钱,不如继续沉迷14nm

本文摘要:

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为了使该部门能够保持和持续扩大业务合作,GF应该将解散分为独立的国家部门,与其他修正来源替代工厂合作。GF的名为14LPP的14纳米生产工艺最初是为移动SoC和其他芯片设计的,最多用于13个金属层和9T库。然后GF基于14LPP工艺设计了两个变体。

其中14HP生产工艺由IBM开发,以晶体管密度为代价,条件交换性能高,最多用于17个金属层和12T库。12LP生产工艺可用于AMD CPU、汽车芯片等其他领域,用于13个金属层和7.5T库,与14LPP相比,能耗比可增加10%,芯片面积可增加15%。

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GF将在未来14纳米节点基础上获得更普遍的技术,未来FinFET技术的主要市场被确认为无线芯片和嵌入式存储芯片等低功耗领域。GF还将利用7纳米生产工艺的部分研发经验,优化14/12纳米生产工艺,确保提高性能和高晶体管密度,从而降低成本。

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但是现在Gary Patton不公开任何实际目标。(public number:)我们理解,现有的无线解决方案仍然用于非常领先的工艺生产,如果GF能够在基于FinFET的芯片上成功构建RF功能,那么它比传统的射频解决方案具有明显的优势。此外,GF除了一般的射频功能外,还计划在芯片上重新添加毫米波无线功能,将FinFET技术用作嵌入式存储器芯片的生产也是世界上第一次。

目前,用于FinFET技术的射频芯片和嵌入式存储芯片仍处于探索阶段,GF正在重组新的研发团队,该团队到2020年为止执行最慢,到2021年将转变为大规模量产阶段。但是,从2019年到2020年,AMD似乎不会减少对14/12纳米工程的需求。GF除了开发基于FinFET技术的专业生产工艺外,还将投资于基于FDX品牌的FD-SOI平台,如22FDX和12FDX。

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Gary Patton没有提前发布FD-SOI生产工艺的新版本,但FDX对GF最重要的原因是,GF和三星是唯一能够获得这一技术的庭院台工厂。相反,对于购买并安装在Fab 8晶片工厂的两台ASML Twinscan NXE EUV光刻机,GF尚未提出任何要求,GF预计将通过ASML咨询要求未来使用。理论上,GF可以利用它加速原型制作,但由于需要类似的处置,如果不能作为大量量产使用,那么这样白白养两个“爷爷”不是个好主意。

综上所述,GF、三星、台积电都是在庭院台工厂享受尖端工艺的三驾马车。随着GF的解散,与三星队的对抗将是唯一的自由选择。对GF来说,这是有利有弊的。

根据Gartner的调查结果,2022年用于生产12纳米及高级设备工艺的芯片也能获得半导体行业的大部分收益。通过解散在尖端工艺领域的竞争,GF可以通过为特定客户量身定做的专业生产工程,更好地防止与三星和台积电的竞争,降低研发成本,并将EUV工厂建设时间延长到2020年以后。看到GF离开尖端工艺领域令人遗憾,但很明显,GF在与三星和对手的竞争中表现出了某种弱势,让管理层毫无顾忌地冒险。

因此,开发专业生产工艺可能是GF更好,甚至是唯一的自由选择。GF如何开发和管理各种新的生产工序,以及AMD对能否招募到足够的新业务订单空缺AMD的“爱”可能会使Fab 8生产能力变得空虚,这需要一些时间。附件:GF新闻稿与文章相关:详细了解7nm工程,了解半导体巨头如何将老命变成摩尔定律延长的原创文章,从而发出许可禁令。

(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视剧),)下面有关于刊登的注意事项。

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